据外媒报道，英飞凌科技公司（Infineon Technologies）扩大与碳化硅（SiC）供应商Resonac公司的合作。根据新协议，Resonac将为英飞凌提供用于生产SiC半导体的SiC材料，预计占其未来十年需求量的两位数份额。

除了直径为150mm的材料，Resonac还计划为英飞凌提供直径为200mm的SiC材料。

与传统的硅晶片（silicon-wafer-based）功率半导体相比，SiC功率半导体可以降低功率损耗，释放的热量更少，从而节省能源。因此，SiC功率半导体市场正在迅速扩大，尤其是在电动汽车等领域。

SiC功率半导体的性能，在很大程度上受到SiC外延片（epi-wafer）的影响。因此，外延片需要具有低表面缺陷密度，而且质量稳定。目前，SiC功率半导体主要由直径150mm（6英寸）的SiC外延片制成。SiC外延片的直径越大，功率器件制造商生产的SiC功率半导体芯片就越多。因此，器件制造商希望引入直径比传统外延片更大的SiC外延片，从而提高生产率，降低器件成本。自2021年以来，Resonac一直在加速开发200mm SiC外延片。

此外，Resonac将加强与英飞凌的联合开发活动，加速改进SiC外延片技术和产品质量。作为合作的一部分，英飞凌将向Resonac提供与SiC材料技术相关的知识产权。

目前，英飞凌正在扩大其SiC制造能力，以期在2030年前占据30%的市场份额。到2027年，英飞凌的SiC制造能力预计将提高10倍。其位于马来西亚居林（Kulim）的新工厂计划于2024年投产。如今，英飞凌已为全球3600多家客户提供SiC半导体产品。

原标题： Resonac将为英飞凌提供SiC材料 用于生产功率半导体