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芯片上“长”出原子级薄晶体管

日期：2023-05-06		[复制链接]
责任编辑：sy_luxiaoyun		打印收藏评论(0)[订阅到邮箱]

美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维（2D）过渡金属二硫化物（TMD）材料层，以实现更密集的集成。这项技术可能会让芯片密度更高、功能更强大。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。

原标题：芯片上“长”出原子级薄晶体管

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来源：万创投行

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